A comprehensive physics-based power MOSFET model in VHDL-AMS for circuit simulations Tagungsband uri icon

Überblick

Autor/in (verknüpft)

  • Göhler, Lutz  Professor für Leistungselektronik/Regenerative Energien

Open-Access-Kennzeichnung

  • Closed Access

Sprachen

  • englisch

Beteiligte Organisationen

  • Fakultät Elektrotechnik

Forschung

Schlagwörter

  • Device modeling
  • Equations
  • Integrated circuit modeling
  • Logic gates
  • MOS device
  • MOSFET
  • Mathematical model
  • Numerical models
  • Power MOSFET
  • Power semiconductor device
  • Simulation

Identität

Internationale Standardbuchnummer (ISBN) 13

  • 1612841678