Strained isolation oxide as novel overall stress element for Tri-Gate transistors of 22nm CMOS and beyond uri icon Tagungsband

Überblick

Freigegeben

  • Ja

AutorInnen

  • Baldauf, T
  • Baldauf, Tim
  • Stenzel, R
  • Klix, Wilfried
  • Wei, Andy
  • Illgen, Ralf
  • Flachowsky, Stefan
  • Herrmann, Thomas
  • Hoentschel, Jan
  • Horstmann, Manfred

Veröffentlichungszeitpunkt

  • 2012

Open-Access-Kennzeichnung

  • Closed Access

Peer Reviewed

  • Nein

Sprachen

  • englisch

Im Bibliotheksbestand

  • Nein

Forschung

Schlagwörter

  • Logic gates
  • MOS devices
  • Stress

Identität

Internationale Standardbuchnummer (ISBN) 10

  • 1467317152

Anderes

Kuratierungs-Zielkategorie (intern)

  • Ja