Mobility and strain effects for <100> and <110> oriented silicon and SiGe transistor channels uri icon Konferenz-Paper

Peer Reviewed Im Bibliotheksbestand

Überblick

Freigegeben

  • Ja

AutorInnen

  • Flachowsky, Stefan
  • Herrmann, Thomas
  • Höntschel, Jan
  • Illgen, Ralf
  • Yang Ong, Shiang
  • Wiatr, Maciej
  • Baldauf, Tim
  • Klix, Wilfried
  • Stenzel, Roland

Veröffentlichungszeitpunkt

  • 2012

Open-Access-Kennzeichnung

  • Closed Access

Peer Reviewed

  • Ja

Sprachen

  • englisch

Im Bibliotheksbestand

  • Ja Im Bibliotheksbestand

Identität

Anderes

Kuratierungs-Zielkategorie (intern)

  • Ja