Mobility and strain effects for <100> and <110> oriented silicon and SiGe transistor channels
Konferenz-Paper
Überblick
Veröffentlichungszeitpunkt
- 2012
Autor/in (verknüpft)
- Baldauf, Tim Professor für Theoretische Elektrotechnik / Optoelektronik
- Stenzel, Roland Professor für Grundlagen der Theoretischen Elektrotechnik
Open-Access-Kennzeichnung
- Closed Access
Sprachen
- englisch
Beteiligte Organisationen
- Fakultät Elektrotechnik