Effect of source/drain extension dopant species on device performance of non-diffuse embedded SiGe strained SOI P-MOSFETs. uri icon Wissenschaftlicher Artikel

Überblick

Freigegeben

  • Ja

AutorInnen

  • Illgen, Ralf
  • Flachowsky, Stefan
  • Herrmann, Thomas
  • Klix, Wilfried
  • Stenzel, Roland
  • Feudel, Thomas
  • Höntschel, Jan
  • Horstmann, Manfred

Open-Access-Kennzeichnung

  • Closed Access

Peer Reviewed

  • Nein

Sprachen

  • deutsch

Anderes

Kuratierungs-Zielkategorie (intern)

  • Ja