Investigation of vertical GaN-MOSFET breakdown effects by device simulation Konferenz-Paper uri icon

Überblick

Autor/in (verknüpft)

  • Stenzel, Roland  Professor für Grundlagen der Theoretischen Elektrotechnik

Open-Access-Kennzeichnung

  • Closed Access

Sprachen

  • deutsch

Beteiligte Organisationen

  • Fakultät Elektrotechnik