Investigation of vertical GaN-MOSFET breakdown effects by device simulation uri icon Konferenz-Paper

Überblick

Freigegeben

  • Ja

AutorInnen

  • Weigel, Martin
  • Klix, Wilfried
  • Hentschel, Rico
  • Stenzel, Roland
  • Wachowiak, Andre
  • Mikolajick, Thomas

Open-Access-Kennzeichnung

  • Closed Access

Peer Reviewed

  • Nein

Sprachen

  • deutsch

Anderes

Kuratierungs-Zielkategorie (intern)

  • Ja