Understanding strain-induced drive-current enhancement in strained-silicon n-MOSFET and p-MOSFET. uri icon Wissenschaftlicher Artikel

Überblick

Freigegeben

  • Ja

AutorInnen

  • Flachowsky, Stefan
  • Wei, Andy
  • Illgen, Ralf
  • Herrmann, Thomas
  • Höntschel, Jan
  • Horstmann, Manfred
  • Klix, Wilfried
  • Stenzel, Roland

Veröffentlichungszeitpunkt

  • 2010

Open-Access-Kennzeichnung

  • Closed Access

Peer Reviewed

  • Nein

Sprachen

  • deutsch

Anderes

Kuratierungs-Zielkategorie (intern)

  • Ja