In-depth electrical characterization of carrier transport in ambipolar Si-NW Schottky-barrier FETs Konferenz-Paper uri icon

Überblick

Veröffentlichungszeitpunkt

  • 2017

Autor/in (verknüpft)

  • Baldauf, Tim  Professor für Theoretische Elektrotechnik / Optoelektronik

Open-Access-Kennzeichnung

  • Closed Access

Sprachen

  • englisch

Beteiligte Organisationen

  • Fakultät Elektrotechnik

Identität