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- Fakultät Elektrotechnik Fachbereich
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Baldauf, Tim
Physik von Halbleiter-Bauelementen Skalierung von Ultra-Kurzkanal-Transistoren Mechanisch verspannte Halbleiter TCAD-Simulationen Rekonfigurierbare Feld-Effekt-Transistoren (RFET)
Überblick
Beteiligt an Projekt/Förderung
- PSIMU Förderung
- Rauschmessungen von 22FDX-Strukturen (inkl. Komparatoren) mit und ohne hochohmigen FDSOI Substraten Förderung
- WINFDSOI Förderung
- WINFDSOI Förderung
Publikation (Autor/in)
- (Invited) High-Yield Reconfigurable Silicon and Germanium Nanowire Transistors and Compact Logic Circuits Wissenschaftlicher Artikel
- A physical synthesis flow for early technology evaluation of silicon nanowire based reconfigurable FETs Tagungsband
- A wired-AND transistor: Polarity controllable FET with multiple inputs Konferenz-Paper
- Analyse und Optimierung von verspannten Schichten auf CMOS–Transistoren Konferenz-Paper
- Bringing reconfigurable nanowire FETs to a logic circuits compatible process platform Konferenz-Paper
- Effect of independently sized gates on the delay of reconfigurable silicon nanowire transistor based circuits Tagungsband
- Enabling Energy Efficiency and Polarity-Control in Germanium Nanowire Transistors by Individually Gated Nano-Junctions Wissenschaftlicher Artikel
- Entwicklung von energieeffizienten Hochleistungstransistoren
- Functionality-Enhanced Logic Gate Design Enabled by Symmetrical Reconfigurable Silicon Nanowire Transistors Wissenschaftlicher Artikel
- Germanium Nanowire Reconfigurable Transistor Model for Predictive Technology Evaluation Wissenschaftlicher Artikel
- Improvement of low-frequency noise behavior with chloridic precursor materials at ALD process Wissenschaftlicher Artikel
- In-depth electrical characterization of carrier transport in ambipolar Si-NW Schottky-barrier FETs Konferenz-Paper
- Mobility and strain effects for <100> and <110> oriented silicon and SiGe transistor channels Konferenz-Paper
- Scaling Aspects of Nanowire Schottky Junction based Reconfigurable Field Effect Transistors Tagungsband
- Simulation and Optimization of Tri-Gates in a 22nm Hybrid Tri-Gate/Planar Process Konferenz-Paper
- Strain-engineering for improved tunneling in reconfigurable silicon nanowire transistors Tagungsband
- Strained isolation oxide as novel overall stress element for Tri-Gate transistors of 22nm CMOS and beyond Tagungsband
- Stress-Dependent Performance Optimization of Reconfigurable Silicon Nanowire Transistors Wissenschaftlicher Artikel
- Study of 22/20nm Tri-Gate transistors compatible in a low-cost hybrid FinFET/planar CMOS process Tagungsband
- Suppression of the corner effects in a 22 nm hybrid tri-gate/planar process Konferenz-Paper
- Top-Down Technology for Reconfigurable Nanowire FETs With Symmetric On-Currents Wissenschaftlicher Artikel
- Tuning the tunneling probability by mechanical stress in Schottky barrier based reconfigurable nanowire transistors Wissenschaftlicher Artikel
- Vertically Integrated Reconfigurable Nanowire Arrays Wissenschaftlicher Artikel
- A Germanium Nanowire Reconfigurable Transistor Model for Predictive Technology Evaluation Wissenschaftlicher Artikel
- High-Yield Reconfigurable Silicon and Germanium Nanowire Transistors and Compact Logic Circuits (Invited) Konferenz-Paper
- Optimization of Stressor Overlayer Parameters for MOSFET's in "Cool Silicon" – Technologies Konferenz-Paper
- Reconfigurable nanowire transistors with multiple independent gates for efficient and programmable combinational circuits Tagungsband
- Strain Analysis for Reconfigurable Silicon Nanowire Devices Konferenz-Paper
- Stress Memorization Technique for n-MOSFETs: Where is the Stress Memorized? Wissenschaftlicher Artikel
- The RFET-a reconfigurable nanowire transistor and its application to novel electronic circuits and systems Wissenschaftlicher Artikel
Dissertation
Publikationen
ausgewählte Veröffentlichungen
Kontakt
vollständiger Name
- Tim Baldauf